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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 운전자 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 20V |
| 논리 전압 - vil, vih | 0.8V, 2.5V |
| 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) | 350mA, 650mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) | 600 V |
| 상승/하강 시간(일반) | 60ns, 30ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급업체 장치 패키지 | 8-DIP |
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