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GA05JT12-247

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TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

비준수

GA05JT12-247 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 -
기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(vdss) 1200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 280mOhm @ 5A
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 106W (Tc)
작동 온도 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AB
패키지 / 케이스 TO-247-3
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