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IPDD60R102G7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10

비준수

IPDD60R102G7XTMA1 가격 및 주문

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1,700 $2.96188 -
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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 23A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 102mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 390µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1320 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 139W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-HDSOP-10-1
패키지 / 케이스 10-PowerSOP Module
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