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APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

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MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

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APT10M11JVRU2 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 142A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 71A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 2.5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 8600 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 450W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-227
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
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