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MHT1108NT1

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NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

비준수

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이름
제품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 LDMOS
빈도 2.45GHz
얻다 18.6dB
전압 - 테스트 32 V
현재 정격 (암페어) 10µA
잡음 지수 -
현재 - 테스트 110 mA
전력 - 출력 12.5W
전압 - 정격 65 V
패키지 / 케이스 16-VDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 16-DFN (4x6)
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