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NGB8207BNT4G

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onsemi

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

비준수

NGB8207BNT4G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
800 $0.81625 $653
1,600 $0.73758 -
2,400 $0.68840 -
5,600 $0.65562 -
800 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 -
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 365 V
전류-수집기(ic) (최대) 20 A
전류-수집기 펄스(icm) 50 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.6V @ 4V, 20A
전력 - 최대 165 W
에너지 전환 -
입력 유형 Logic
게이트 요금 -
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c -
테스트 조건 -
역방향 회복 시간(trr) -
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급업체 장치 패키지 D2PAK
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