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RJK6014DPP-E0#T2

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

비준수

RJK6014DPP-E0#T2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $5.12000 $5.12
500 $5.0688 $2534.4
1000 $5.0176 $5017.6
1500 $4.9664 $7449.6
2000 $4.9152 $9830.4
2500 $4.864 $12160
5107 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 16A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 575mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 35W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220FP
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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