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CSD16415Q5

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 25 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.9V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 29 nC @ 4.5 V
vgs(최대) +16V, -12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4100 pF @ 12.5 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.2W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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