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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Obsolete |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압(vdss) | 30V |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 4.4A, 3.7A |
rds on (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
vgs(th) (최대) @ id | 1V @ 250µA (Min) |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 20nC @ 10V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | - |
전력 - 최대 | 1.1W |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
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