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SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

비준수

SI6562DQ-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c -
rds on (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 600mV @ 250µA (Min)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 1W
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-TSSOP
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