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SQ1470AEH-T1_GE3

SQ1470AEH-T1_GE3

SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70

compliant

SQ1470AEH-T1_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.19494 -
6,000 $0.18306 -
15,000 $0.17118 -
30,000 $0.16286 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.6V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5.2 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 450 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.3W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SC-70-6
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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