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W988D2FBJX7E TR

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Winbond Electronics

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA

비준수

W988D2FBJX7E TR 가격 및 주문

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제품 상태 Last Time Buy
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 133 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
접근 시간 5.4 ns
전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 90-TFBGA
공급업체 장치 패키지 90-VFBGA (8x13)
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