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ALD1110EPAL

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MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

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ALD1110EPAL 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 10V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c -
rds on (max) @ id, vgs 500Ohm @ 5V
vgs(th) (최대) @ id 1.01V @ 1µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2.5pF @ 5V
전력 - 최대 600mW
작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급업체 장치 패키지 8-PDIP
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