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AS4C16M16D1-5BINTR

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AS4C16M16D1-5BINTR

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

비준수

AS4C16M16D1-5BINTR 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - DDR
메모리 크기 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 200 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
접근 시간 700 ps
전압 - 공급 2.3V ~ 2.7V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 60-TFBGA
공급업체 장치 패키지 60-TFBGA (8x13)
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