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AS6C2008-55BINTR

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AS6C2008-55BINTR

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

비준수

AS6C2008-55BINTR 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 SRAM
기술 SRAM - Asynchronous
메모리 크기 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 55ns
접근 시간 55 ns
전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 36-TFBGA
공급업체 장치 패키지 36-TFBGA (6x8)
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