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AO4441L_001

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MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC

비준수

AO4441L_001 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 100mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1120 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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