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AON1611

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MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN

AON1611 데이터 시트

비준수

AON1611 가격 및 주문

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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 58mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 900mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 550 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.8W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 6-DFN (1.6x1.6)
패키지 / 케이스 6-PowerUFDFN
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