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AOT10N65

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MOSFET N-CH 650V 10A TO220

AOT10N65 데이터 시트

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1,000 $0.73500 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1645 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 250W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
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