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AOT9N50

AOT9N50

AOT9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO220

AOT9N50 데이터 시트

compliant

AOT9N50 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.18000 $1.18
10 $1.04200 $10.42
100 $0.82320 $82.32
500 $0.63840 $319.2
1,000 $0.50400 -
3,000 $0.47040 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 850mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1042 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 192W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
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