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AOW292

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MOSFET N-CH 100V 105A TO262

AOW292 데이터 시트

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 14.5A (Ta), 105A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6775 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.9W (Ta), 300W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-262
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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