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AOW4S60

AOW4S60

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MOSFET N-CH 600V 4A TO262

AOW4S60 데이터 시트

compliant

AOW4S60 가격 및 주문

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1,000 $0.64750 -
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 263 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-262
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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