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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
트랜지스터 유형 | NPN |
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) | 15V |
주파수 - 전환 | 1GHz |
잡음 지수(db typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
얻다 | 11.6dB |
전력 - 최대 | 6.4W |
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce | 100 @ 250mA, 3V |
전류-수집기(ic) (최대) | 1.2A |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC-EP |
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