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2N6792

2N6792

2N6792

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

2N6792 데이터 시트

compliant

2N6792 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
10903 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 400 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 600 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 20W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-205AF (TO-39)
패키지 / 케이스 TO-205AF Metal Can
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