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2SC3651-TD-E

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2SC3651-TD-E

2SC3651-TD-E

Fairchild Semiconductor

2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

2SC3651-TD-E 데이터 시트

비준수

2SC3651-TD-E 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
3000 items
위시리스트에 추가
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류-수집기(ic) (최대) 200mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 100V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 500mV @ 2mA, 100mA
전류-수집기 차단(최대) 100nA (ICBO)
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 500 @ 10mA, 5V
전력 - 최대 500mW
주파수 - 전환 150MHz
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-243AA
공급업체 장치 패키지 PCP
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