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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| 구동 구성 | High-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 운전자 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 20V |
| 논리 전압 - vil, vih | 8V, 12.6V |
| 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) | 250mA, 500mA |
| 입력 유형 | Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) | 600 V |
| 상승/하강 시간(일반) | 15ns, 10ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
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