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FDB6035L

FDB6035L

FDB6035L

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDB6035L 데이터 시트

compliant

FDB6035L 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.14000 $3.14
500 $3.1086 $1554.3
1000 $3.0772 $3077.2
1500 $3.0458 $4568.7
2000 $3.0144 $6028.8
2500 $2.983 $7457.5
800 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 58A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 75W (Tc)
작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263AB
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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