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FDB6690S

FDB6690S

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MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB

FDB6690S 데이터 시트

비준수

FDB6690S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
2824 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 42A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1238 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 48W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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