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FDD6670S

FDD6670S

FDD6670S

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6670S 데이터 시트

compliant

FDD6670S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
47486 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2010 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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