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FDD6692

FDD6692

FDD6692

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6692 데이터 시트

compliant

FDD6692 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
66982 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 54A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25 nC @ 5 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2164 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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