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FDG361N

FDG361N

FDG361N

MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

FDG361N 데이터 시트

compliant

FDG361N 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
102013 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 600mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 500mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 153 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 420mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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