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FDMD8900

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

FDMD8900 데이터 시트

compliant

FDMD8900 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.96852 -
15710 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 19A, 17A
rds on (max) @ id, vgs 4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2605pF @ 15V
전력 - 최대 2.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 12-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지 12-Power3.3x5
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