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FDP6030BL

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

compliant

FDP6030BL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.57000 $1.57
10 $1.38900 $13.89
100 $1.09770 $109.77
800 $0.74373 $594.984
1,600 $0.67204 -
7865 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1160 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 60W (Tc)
작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3
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