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FDR836P

FDR836P

FDR836P

P-CHANNEL MOSFET

FDR836P 데이터 시트

compliant

FDR836P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
15000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 44 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 900mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-8
패키지 / 케이스 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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