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FDR840P

FDR840P

FDR840P

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8

FDR840P 데이터 시트

compliant

FDR840P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
294354 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4481 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.8W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-8
패키지 / 케이스 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
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