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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 30V, 20V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 5.5A, 4A |
| rds on (max) @ id, vgs | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| vgs(th) (최대) @ id | 1V @ 250µA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 28nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 900pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
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