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FDU6612A

FDU6612A

FDU6612A

MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK

FDU6612A 데이터 시트

compliant

FDU6612A 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.31000 $0.31
500 $0.3069 $153.45
1000 $0.3038 $303.8
1500 $0.3007 $451.05
2000 $0.2976 $595.2
2500 $0.2945 $736.25
44990 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.5A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 20mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9.4 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 660 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.8W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I-PAK
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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