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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 전류-수집기(ic) (최대) | 100 mA |
| 전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) | 50 V |
| 저항기 - 베이스(r1) | 4.7 kOhms |
| 저항기 - 이미터 베이스(r2) | 10 kOhms |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce | 30 @ 5mA, 5V |
| vce 포화도(최대) @ ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단(최대) | 100nA (ICBO) |
| 주파수 - 전환 | 250 MHz |
| 전력 - 최대 | 300 mW |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
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