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FQB19N10LTM

FQB19N10LTM

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

비준수

FQB19N10LTM 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
5002 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 870 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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