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FQD2N60TF

FQD2N60TF

FQD2N60TF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

비준수

FQD2N60TF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
7387 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 350 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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