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FQH35N40

FQH35N40

FQH35N40

N-CHANNEL POWER MOSFET

FQH35N40 데이터 시트

compliant

FQH35N40 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $5.34000 $5.34
500 $5.2866 $2643.3
1000 $5.2332 $5233.2
1500 $5.1798 $7769.7
2000 $5.1264 $10252.8
2500 $5.073 $12682.5
846 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 400 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 105mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5600 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 310W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AD
패키지 / 케이스 TO-247-3
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