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FQPF4N80

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MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F

FQPF4N80 데이터 시트

비준수

FQPF4N80 가격 및 주문

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1 $0.00000 $0
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 800 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 880 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 43W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220F-3
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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