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FQPF9N25C

FQPF9N25C

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

비준수

FQPF9N25C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21200 $12.12
100 $0.95780 $95.78
500 $0.74278 $371.39
1,000 $0.58641 -
9565 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 250 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 710 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 38W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220F-3
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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