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G4S6508Z

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*

G4S6508Z 데이터 시트

비준수

G4S6508Z 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $5.16000 $5.16
500 $5.1084 $2554.2
1000 $5.0568 $5056.8
1500 $5.0052 $7507.8
2000 $4.9536 $9907.2
2500 $4.902 $12255
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky
전압 - dc 역방향(vr)(최대) 650 V
현재 - 평균 정류(io) 30.5A (DC)
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.7 V @ 8 A
속도 No Recovery Time > 500mA (Io)
역방향 회복 시간(trr) 0 ns
전류 - 역방향 누설 @ vr 50 µA @ 650 V
정전용량 @ vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지 8-DFN (4.9x5.75)
작동 온도 - 접합부 -55°C ~ 175°C
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