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G5S12008D

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI

비준수

G5S12008D 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $8.61000 $8.61
500 $8.5239 $4261.95
1000 $8.4378 $8437.8
1500 $8.3517 $12527.55
2000 $8.2656 $16531.2
2500 $8.1795 $20448.75
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky
전압 - dc 역방향(vr)(최대) 1200 V
현재 - 평균 정류(io) 26.1A (DC)
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.7 V @ 8 A
속도 No Recovery Time > 500mA (Io)
역방향 회복 시간(trr) 0 ns
전류 - 역방향 누설 @ vr 50 µA @ 1200 V
정전용량 @ vr, f 550pF @ 0V, 1MHz
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급업체 장치 패키지 TO-263
작동 온도 - 접합부 -55°C ~ 175°C
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