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HUF75343S3

HUF75343S3

HUF75343S3

Harris Corporation

75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL

compliant

HUF75343S3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
557 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 55 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 75A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 9mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 205 nC @ 20 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 270W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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