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HUF76113DK8T

HUF76113DK8T

HUF76113DK8T

N-CHANNEL POWER MOSFET

비준수

HUF76113DK8T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
77500 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 19.2nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 605pF @ 25V
전력 - 최대 2.5W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
공급업체 장치 패키지 US8
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