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HUF76609D3S

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HUF76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

비준수

HUF76609D3S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
10799 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 425 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 49W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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