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IRFW840BTM

IRFW840BTM

IRFW840BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IRFW840BTM 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
4800 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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