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NDH8502P

NDH8502P

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P-CHANNEL MOSFET

NDH8502P 데이터 시트

비준수

NDH8502P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.59000 $0.59
500 $0.5841 $292.05
1000 $0.5782 $578.2
1500 $0.5723 $858.45
2000 $0.5664 $1132.8
2500 $0.5605 $1401.25
53427 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.2A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 14.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 340pF @ 15V
전력 - 최대 800mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-8
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