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NDS352P

NDS352P

NDS352P

MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3

NDS352P 데이터 시트

compliant

NDS352P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
29286 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 850mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 350mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4 nC @ 5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 125 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 500mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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